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光刻工艺

2020-11-19 22:11:00

光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构,再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。本公司目前掌握电子束光刻,步进式光刻,接触式光刻等多种光刻技术。

技术应用

光刻技术主要应用于半导体器件,集成电路制造过程中。

工艺能力

EBL(电子束光刻):最小CD值50nm,精度可达10%。

Stepper(步进式光刻):尼康 i7/i10/i12,最小CD值350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。

接触、接近式光刻:SUSS MA6/BA6光刻机,最小CD值2um,曝光误差±0.3um

我们的优势

根据客户需求,定制最具性价比光刻方案 精度高,线宽小 衬底尺寸范围1cm至8英寸 图形保真度高

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